光刻胶在微机电系统（MEMS）加工中的应用

光刻胶在 MEMS（微机电系统）加工中的应用MEMS 和传统集成电路最大区别：IC 以薄层、超高分辨率为主；MEMS 需要大量三维、厚层、高深宽比、可动机械结构，光刻胶不只是临时掩膜，还可以直接作为器件结构材料、电铸模具、微流控母版等。一、核心功能图形转移、临时掩膜（最基础）涂胶→前烘→曝光→显影，把掩膜图形转到衬底；之后作为保护层，用于：DRIE 深硅刻蚀（Bosch 工艺）：制备加速度计、陀螺仪、压力传感器的悬臂梁、质量块、沟槽、腔体；要求光刻胶耐等离子轰击、附着力强、不发生钻蚀、图形不倒塌（如 SPR 220...