光刻胶技术
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MEMS传感器用厚膜光刻胶在深硅刻蚀掩膜中的侧壁垂直度调控
针对MEMS传感器深硅刻蚀中厚膜光刻胶掩膜侧壁垂直度调控问题，核心结论是：掩膜侧壁的垂直度直接决定刻蚀后硅结构的侧壁形貌，而通过优化光刻工艺参数（尤其是后烘条件与曝光剂量），可以将AZ4620厚胶的掩膜侧壁倾角控制在90°左右，进而实现深硅刻蚀后接近垂直的背腔侧壁（约90.2°） 。 1. 为什么掩膜垂直度是关键 在深硅刻蚀中，光刻胶掩膜自身若存在侧壁倾斜，会在刻蚀过程中被逐层消耗并“复制”到硅基底上。若掩膜侧壁倾角小于90°，胶层顶部会率先被刻蚀殆尽，导致图形尺寸在刻蚀后期发生漂移...
MEMS传感器厚膜光刻胶 -
PCB阻焊光刻胶在高密度互连板（HDI）精细线路中的分辨率与附着力平衡
在HDI精细线路中，阻焊光刻胶的分辨率与附着力确实是一对核心矛盾：追求更细的线路分辨率，往往需要更薄的胶层和更陡直的侧壁，这容易削弱胶层与铜面的结合力；而增强附着力所需的组分或工艺，又可能引起光散射或显影残留，限制分辨率。当前的技术路径主要通过树脂结构设计、附着力促进剂复配以及填料/表面处理优化来寻求平衡，而非单纯牺牲某一性能。 核心矛盾与平衡策略 1. 树脂与交联体系：兼顾显影清晰度与致密性分辨率的提升要求未曝光区域能快速、干净地溶于显影液。传统树脂若分子量分布过宽，会导致显影不净...
PCB阻焊光刻胶HDI -
LCD彩色光刻胶在8K高色域显示面板中的色度稳定性与涂布均匀性
针对8K高色域显示面板，LCD彩色光刻胶的色度稳定性与涂布均匀性是两项相互关联且直接决定画质均一性的核心指标。目前公开的专项研究较为有限，但结合现有文献与专利信息，可以梳理出以下关键结论与影响因素。 色度稳定性：材料体系是关键变量 色度稳定性主要担忧在于：在长时间背光照射或高温高湿环境下，光刻胶中的色浆（颜料或染料）是否会发生褪色或色偏移。 现有针对蓝色光刻胶的研究提供了有参考价值的数据。一项由京东方主导的研究对比了全染料系蓝色光刻胶与传统颜料/混合系材料的表现：在连续点亮...
LCD彩色光刻胶8K高色域显示面板 -
2.5D/3D封装用聚酰亚胺光刻胶在RDL重布线层中的厚膜成型与去胶特性
在2.5D/3D封装的RDL重布线层中，聚酰亚胺光刻胶通常指光敏聚酰亚胺（PSPI），其核心角色是作为永久性绝缘介质层。这意味着它一旦完成光刻图形并固化，就会留在芯片上，而不是像普通光刻胶那样在完成刻蚀或电镀掩模任务后被去除。因此，讨论其“去胶特性”时，需要区分显影去除（未曝光区域） 与最终保留（固化后） 这两个截然不同的概念。 厚膜成型：负性PSPI主导，工艺窗口是关键 RDL介质层的光刻厚度通常在5~30 μm，远厚于前道晶圆制造中的光刻胶。在这一厚度下，2.5D/3D封装量产的...
2.5D/3D封装聚酰亚胺光刻胶 -
ArF光刻胶在7nm逻辑芯片金属层图形化中的分辨率与线宽粗糙度控制
在7nm逻辑芯片金属层图形化中，ArF浸没式光刻胶本身的分辨率极限（约38nm单次曝光线宽）已无法直接满足金属层最终线宽需求，必须依赖多重图形化技术（尤其是自对准双重图形化SADP）将有效间距减半。线宽粗糙度（LWR/LER）的控制是核心挑战，其来源涵盖光刻胶化学随机性、曝光光子散粒噪声以及后续刻蚀对胶侧壁的损伤，需从材料配方与工艺集成两端协同抑制。 分辨率：多重图形化下的间接实现 ArF浸没式光刻在7nm金属层中的分辨率并非由单次曝光直接达成。金属层（BEOL）的最小间距通常要求低...
ArF光刻胶7nm逻辑芯片 -
什么是光刻胶？一文带你了解全部
光刻是芯片制造的核心工艺，而光刻胶则是这一工艺中最为关键的材料之一，被誉为“半导体的液体黄金”。光刻胶是一种对光敏感的混合液体，其在紫外光或低波长光等辐射作用下的化学变化，对于形成芯片图案至关重要。光刻胶的分类根据显影后的效果，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两大类：正性光刻胶：曝光前对显影液不可溶，曝光后曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版遮光区相同。正性光刻胶因其较高的分辨率和更好的图形保真度而在芯片制造中应用更为广泛。负性光刻胶：显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版遮光区相反。尽管负性光刻...
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