MEMS传感器用厚膜光刻胶在深硅刻蚀掩膜中的侧壁垂直度调控

针对MEMS传感器深硅刻蚀中厚膜光刻胶掩膜侧壁垂直度调控问题，核心结论是：掩膜侧壁的垂直度直接决定刻蚀后硅结构的侧壁形貌，而通过优化光刻工艺参数（尤其是后烘条件与曝光剂量），可以将AZ4620厚胶的掩膜侧壁倾角控制在90°左右，进而实现深硅刻蚀后接近垂直的背腔侧壁（约90.2°） 。  1. 为什么掩膜垂直度是关键 在深硅刻蚀中，光刻胶掩膜自身若存在侧壁倾斜，会在刻蚀过程中被逐层消耗并“复制”到硅基底上。若掩膜侧壁倾角小于90°，胶层顶部会率先被刻蚀殆尽，导致图形尺寸在刻蚀后期发生漂移...