ArF光刻胶在7nm逻辑芯片金属层图形化中的分辨率与线宽粗糙度控制

在7nm逻辑芯片金属层图形化中，ArF浸没式光刻胶本身的分辨率极限（约38nm单次曝光线宽）已无法直接满足金属层最终线宽需求，必须依赖多重图形化技术（尤其是自对准双重图形化SADP）将有效间距减半。线宽粗糙度（LWR/LER）的控制是核心挑战，其来源涵盖光刻胶化学随机性、曝光光子散粒噪声以及后续刻蚀对胶侧壁的损伤，需从材料配方与工艺集成两端协同抑制。  分辨率：多重图形化下的间接实现 ArF浸没式光刻在7nm金属层中的分辨率并非由单次曝光直接达成。金属层（BEOL）的最小间距通常要求低...